Projetei o seguinte circuito para conectar um sinal de 12 a 20V a um microcontrolador rodando em 3,3 volts. O sinal é 20V ou circuito aberto.
Quero que o circuito seja o mais resiliente possível. Deve ser capaz de lidar com EMI e ESD.
- R1 é limitar a corrente e polarizar o transistor.
- C1 é implementar um filtro passa-baixo.
- R2 é usado para puxar a base do transistor e descarregar o capacitor C1, a entrada de 20V é 20V ou circuito aberto.
- D1 é usado para proteger o transistor da tensão negativa na base.
- R3 é puxar o pino do microcontrolador.
Quaisquer comentários e melhorias neste circuito são bem-vindos.
Pergunta secundária : Qual é a tensão positiva máxima que esse transistor pode tolerar. A folha de dados indica que a corrente base de pico é de 100mA. Se a base for mantida em 0,7 volts, a entrada poderá chegar a 1000 volts (10k ohm * 100mA). Mas se a entrada for de 1000 Volts, o divisor de potencial transforma a tensão na base em 500 volts. E o Vcb máximo de acordo com a folha de dados é de 60 volts.
microcontroller
pic
transistors
bjt
Hassan Nadeem
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Respostas:
Parece bom para mim. O diodo inverso D1 é uma boa ideia. Se você tiver um mínimo de 12V disponível, poderá reduzir um pouco o R2. Este circuito tem um limite de talvez 2V, você pode facilmente dividir o R2 ou dobrar o R1.
No caso de sobretensão extrema momentânea, a tensão do emissor de base (polarização direta) não aumentará acima de um volt ou mais, mesmo com 100mA. Parece outro diodo em paralelo inverso ao D1. Uma das vantagens de um BJT nesta aplicação. A limitação é mais provável que seja a classificação de tensão de R1.
Se você deseja considerar uma sobretensão sustentada , pode ser necessário considerar a potência nominal de R1. Se algum idiota o conectar à rede elétrica (geralmente podemos assumir que cerca de 240VCA é a maioria dos idiotas de tensão, eles também terão acesso - idiotas com acesso a tensões mais altas são um tipo de problema de auto-eliminação), então o R1 dissipará quase 6W, portanto teria que ser uma parte fisicamente grande. Você pode resolver esse problema aumentando o valor de R1 para que uma parte menor possa ser usada.
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Eu mesmo projetei um circuito muito parecido quando precisei de algumas entradas "robustas". No entanto, usei R1 = R2 = 100k (em vez de 10k). Realmente não é preciso muita corrente de entrada para saturar Q1 com R3 = 10K. Reduza C1 pelo mesmo fator se quiser manter a mesma frequência de canto.
Se você deseja que alguma histerese melhore as características de comutação, considere colocar um resistor de 100Ω entre o emissor e o terra do Q1 e, em seguida, amarrar a extremidade inferior do R2 nessa junção.
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O circuito parece bom para uso não muito exigente.
Em extremos extremos, pode gaguejar.
A resposta de frequência ao sinal de entrada e os tempos aceitáveis de subida e descida não foram especificados e, se necessário, devem ser conhecidos.
Vbe de Q1 prenderá a base em ~ = 1V máx.
Ibe pode ser limitado usando, digamos, dois diodos da junção R1-R2 ao terra e um pequeno resistor (digamos 100 Ohm) deste ponto para a base Q1, de modo que os diodos fixem transientes Vin maciços a cerca de 1,5 - 2 V e base dos grampos do transistor para dizer 0.7V.
Exemplo: Se um transitório direcionar a entrada para 1000V, I_R1 = 100 mA.
Se dois diodos prenderem a extremidade inferior do R1 superior, dizer 2V, a corrente de base será então
(2V-Vbe) / 100R = 13 mA.
Os valores podem ser ajustados para se adequarem.
Os resistores possuem classificações de tensão independentes da dissipação.
Em tensões muito altas, a tensão nominal de R1 se torna importante.
A dissipação em R1 é ~ = V ^ 2 / R, então 1 Watt a 100V com R1 = 10K.
Em 1000V R1, a dissipação é V ^ 2 / R = 1.000.000 / 10.000 = 100 Watt.
Você não gostaria de ter esse presente por muito tempo ou precisava fornecer um resistor capaz de lidar com esse estado estacionário.
Isso NÃO é necessário para ESD. Se você já teve uma situação em que a tensão muito alta pode estar ocasionalmente presente por mais de milissegundos, você pode usar uma entrada comutada que se desligou em condições de tensão muito alta.
Se os tempos de resposta não precisarem ser altos, o valor de R1 pode ser aumentado para se adequar a condições de tensão mais altas.
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