Como dual power PIC18F4550?

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Na folha de dados, há este esquema de como obter potência dupla 18F4550 . No entanto, eles não especificam qual transistor usar e quais valores de resistor devem ser. Para o capacitor, eu uso 100uF (lado do diodo) e 470nF (lado Vusb). Tentei colocar qualquer BJT que eu tivesse em casa, mas ele não mudou para o Vbus quando o Vself não estava disponível.

Alguém poderia sugerir qual BJT usar (modelo nº) e quais resistores devem acompanhá-lo. Os BJTs são como uma floresta escura para mim.

esquemático

Denis Pshenov
fonte
Qual transistor (número de peça) você usou?
W5VO 16/08/12
KSP06TA - es.co.th/detail.asp?Prod=12303085
Denis Pshenov
Caso o PNP seja apenas outro diodo, ambas as fontes de energia estarão ativas ao mesmo tempo, mas não deve haver problema, certo?
MFeinstein 28/12/12

Respostas:

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O problema é que você usou um transistor NPN em vez do transistor PNP especificado no esquema. Substituir o transistor por um dispositivo PNP deve fazer as coisas funcionarem. Um transistor PNP comum que me lembro da cabeça é o 2N3906, mas provavelmente existem outros dispositivos mais adequados para esta tarefa.

A premissa básica do circuito é que, quando o circuito não é auto-alimentado, o VSELF está flutuando ou a 0 V. Isso faz com que uma corrente seja puxada do VBUS através do emissor e da base e através dos dois resistores para o terra. Para estimar qual deve ser a soma desses resistores, podemos fazer algumas suposições sobre o circuito que são um tanto pessimistas. Diremos que VBUS = 4,5 V e que estaremos consumindo 100 mA, que é um dos níveis de energia do USB. Usaremos a folha de dados 2N3906 para alguns desses números.

insira a descrição da imagem aqui

VBE=0.8V to 0.9V at β=10 dependendo da temperatura (veja a figura acima)

IB=ICβ=100mA10=10mA

VB=VBUSVBE=4.5V0.9V=3.6V

R1+R2=VBIB=3.6V10mA=360Ω

Sem saber o que mais está conectado ao VSELF ou como o VSELF se comporta quando ele não está alimentando o dispositivo, eu estaria inclinado a recomendar que o resistor inferior fosse 330 Ohms e o resistor superior seria 33 Ohms ou omitisse completamente o resistor superior (e o resistor inferior igual a 360 Ohms).

W5VO
fonte
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Enquanto o 2N3906 vai fazer aqui eu iria para um BC327 . hFE de no mínimo 100 a 100 mA, o BC327-40 até 250. Em muitas aplicações, você não pode ter muito hFE, e é muito mais conveniente e mais barato usar o mesmo tipo o máximo possível. Também ajuda você a conhecer a peça.
stevenvh
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@stevenvh Eu estava tentando ilustrar um método, não necessariamente uma ótima opção de peça. Estou ciente de que o 2N3906 geralmente é um pequeno dispositivo de sinal e pode não estar disponível para o OP, mas não queria torná-lo muito localizado (por exemplo, "apenas use este transistor, você ficará bem").
W5VO 16/08/2012
@ W5VO, onde você viu na ficha técnica a versão Beta 10, dependendo da temperatura? Obrigado ..
mFeinstein 30/12/12
@mFeinstein Você entendeu mal a afirmação. Estou dizendo que na saturação (Beta = 10), o Vbe estará entre 0,8V e 0,9V, dependendo da temperatura. Na página 3 da folha de dados vinculada, a figura do meio à esquerda mostra Vbe vs. Ic a 3 temperaturas. À temperatura ambiente, o Vbe será de 0,9V. A 125 ° C, o Vbe estará a 0,8V.
W5VO 30/12/12
@ W5VO, ainda não vejo de onde você tirou o beta = 10. Você poderia explicar por favor?
MFeinstein