Posso (ab) usar um transistor como um diodo de proteção ESD?

A especificação MIDI sugere um diodo de comutação rápida para proteger o LED do acoplador óptico contra ESD que pode exceder sua tensão reversa:

Mas este é o único diodo usado; Eu poderia simplificar a lista técnica se pudesse substituí-la por algum componente já usado em outras partes do circuito. Então, por que não usar uma junção PN de um transistor de uso geral?

Comparado ao 1N4148 , o 2N3904 possui tensões de quebra reversa menores, mas isso não importaria nesta aplicação porque o LED prende essas tensões. Outros parâmetros como capacitância ou corrente máxima são comparáveis. Então, parece que o transistor funcionaria, não?

E qual junção deve ser usada, base / emissor, base / coletor ou ambos? E o que fazer com a junção não utilizada?

Sim, não há problema. Basta conectar o coletor à base e usá-lo como diodo. Nenhum abuso envolvido. Um diodo, mesmo um LL4148, é um pouco mais resistente que um transistor conectado a diodo, mas isso não deve ser um problema aqui.

Aqui está o pequeno overshoot na resposta com o LED aberto e um 2N3904 conectado como sugeri (entrada de +/- 10V através de um resistor 220R), tempos de subida e descida de 10ns simulados no LTSpice com tamanho de passo máximo de 1ns:

Sinceramente, ainda não tentei. Então, eu vou "na teoria".

$t_{rr}$

Veja a figura 35 na folha de dados OP77 da Analog. Você verá algo parecido com o que está falando. No entanto, eles estão usando a junção BC, provavelmente devido à maior tensão de ruptura. (A junção BE geralmente não tolera muito - 5 ou 6 volts, frequentemente.)

$20\:\textrm{kV}$

O relatório de aplicação da Ferranti E-Line Transistor Applications discute as várias conexões de diodo (p. 70):

Usando o ZTX300 (BCW10) como um diodo

Três métodos possíveis de conexão são descritos:

1. Coletor / Base (com o emissor conectado à base).
   Essa conexão fornece um diodo com um tempo médio de recuperação, pequena capacitância e alta tensão reversa determinada pela junção coletor-base.
2. Base / Emissor (coletor conectado à base).
   O diodo possui um curto tempo de recuperação, pequena capacitância e baixa voltagem reversa, determinando a junção base-emissor.
3. Base / Emissor (coletor conectado ao emissor).
   O diodo possui um longo tempo de recuperação reversa, uma grande capacitância e uma baixa voltagem reversa determinada pela junção base-emissor.

Method of   Recovery Time nSec.        Capacitance pF
Connection  IF=IR=10mA. R=50Ω    at zero   at reverse voltage
                                 voltage   -10V      -5V
----------  -------------------  -------  --------  --------
 1            89                   7        3
 2             2.7                 7                  3.5
 3           244                  13                  5.5

O tempo de recuperação indicado é o intervalo entre o pulso de entrada negativo que atinge 10% do seu valor final e a corrente reversa que atinge 10% do seu valor máximo.

O gráfico mostra a variação da capacitância com a tensão reversa.

Portanto, a conexão 2 daria o comportamento mais semelhante ao 1N4148.

Acho que a mais alternativa ao diodo é o número esquemático 2, uma confederação a ser adotada é que você use um resistor entre o emissor e a base para proteger o transistor.