Para um MOSFET de canal N, a corrente é alterada do dreno para a fonte. Mas um MOSFET de canal P funciona da maneira oposta - em um MOSFET de canal P, a corrente é alterada da fonte para a drenagem. Veja esta nota do IRF. Além disso, o ânodo do diodo do corpo integral em um MOSFET de potência é conectado à fonte de um canal N, mas ao dreno de um canal P. Veja este trecho .
Basicamente, quando você tem uma tensão positiva conectada a uma carga e deseja ligar e desligar, use um MOSFET de canal N entre o terminal negativo e o terra. Permita que a corrente flua aplicando uma tensão positiva que saturará o transistor (10-12 para MOSFETs de potência, 3-5V para nível lógico). Desligue-o puxando o portão até a fonte.
Quando você tiver uma carga com o terminal negativo aterrado (o que geralmente é preferível; não estrague a terra, se possível!) E quiser aplicar ou remover uma tensão positiva, use um MOSFET de canal P. Puxe seu portão até a fonte (que está conectada ao V +) para desligá-lo ou puxe-o para o terra (através de uma saída de coletor aberto se o seu sinal lógico for menor que V +) para ligá-lo (de modo que Vg seja 0, e Vs é, digamos, 12V, portanto Vgs é -12V).
Os mosfets no modo de depleção são menos comuns e geralmente disponíveis apenas no canal N. Para o modo de esgotamento do canal N, o portão deve ser puxado abaixo da fonte (que geralmente é aterrada). Atenha-se ao modo de aprimoramento para a maioria dos aplicativos de comutação, a menos que você precise de algo estranho.
Este esquema mostra as duas configurações (modo de aprimoramento):
Para identificar a fonte e o dreno, observe o lado ao qual a seta está conectada. Essa é a fonte. Se você possui um componente físico, um teste de diodo em um medidor é útil tanto para encontrar a direção da corrente comutada (aplique tensão positiva ao terminal que o teste de diodo identifica como negativo) quanto para um teste básico (não uma garantia) que o transistor não está queimado. Para diferenciar entre o canal N e o canal P, observe o símbolo: N-Channel apontando para iN.