Por que o JFET é chamado de dispositivo controlado por tensão, enquanto o BJT é chamado de dispositivo controlado por corrente?

Minha pergunta é por que o JFET / FET é chamado de dispositivo controlado por tensão, enquanto o BJT é chamado de corrente controlada, pois ambas são necessárias para operar corretamente. No campo elétrico é produzido, então por que a diferença? Agora, a questão é que a corrente também é gerada devido à tensão e ainda o BJT é controlado por corrente e a tensão FET.

Alguma ideia?

A afirmação está errada. Ambos os dispositivos são controlados por tensão. O modelo exato para um transistor bipolar é a equação de Ebers-Moll .

Observe como a variável independente na equação de Ebers-Moll é: $V_{BE}$. Não base atual!

Um BJT é um dispositivo de transcondutância, assim como um JFET.

A idéia de que um BJT amplifica a corrente é uma característica do modelo aproximado que pode ser usado para projetar a maioria dos circuitos BJT simples.

Uma simplificação / idealização específica do BJT é um dispositivo atual, não o BJT real. Simplesmente não funciona dessa maneira. Simplesmente não há um pequeno demônio na base que conte elétrons que se movem através da base, e dispensa$\beta$ vezes que muitos elétrons no coletor.

Como a tensão do emissor base de um BJT em sua região operacional será afetada pela corrente do emissor base e vice-versa, as alterações na tensão do emissor base de um determinado transistor afetarão a corrente do coletor-emissor. Por outro lado, a quantidade de mudança de tensão do emissor-base necessária para afetar uma determinada mudança de corrente do coletor-emissor é geralmente enorme e imprevisível; ela varia enormemente com a temperatura, o envelhecimento, a fase da lua etc. Por outro lado, na região de operação "linear" de um transistor, dobrar a corrente do emissor base duplicará aproximadamente a corrente do coletor-emissor. Não é exatamente o dobro, mas é bem próximo. Esse comportamento é muito mais previsível do que a relação entre a tensão do emissor base e a corrente do coletor da base.

Um FET ou MOSFET, por outro lado, não possui corrente de porta, exceto as correntes resultantes de vazamento ou capacitância dispersa. Essas correntes não são exatamente zero, mas os fabricantes geralmente tentam minimizá-las. Como tal, não é realmente possível caracterizar a resposta do transistor a diferentes níveis de corrente de porta. A relação entre a tensão da porta e a corrente da fonte de drenagem não é tão previsível quanto a relação entre a corrente do emissor base e a corrente do coletor-emissor em um BJT, mas ainda é provável que seja a maneira mais previsível de caracterizar a operação do dispositivo (é muito mais previsível e consistente do que o relacionamento comparável em um BJT).

Nos BJTs, a corrente do emissor é proporcional à corrente base (este é o hFEvalor do BJT), enquanto nos FETs a corrente da fonte / dreno é proporcional à tensão do gate . Na prática, isso significa que, se você tem uma fonte de tensão, pode fornecer muito pouca corrente (como seu dedo, depois de arrastar os pés por uma sala acarpetada para acumular eletricidade estática), você pode usar esse sinal para controlar o FET, mas não um BJT.

Em palavras muito simples e sem matemática envolvida:

Os FETs em geral, a corrente de dreno da fonte é controlada com muito pouca corrente do portão.

Os BJTs exigem mais corrente, por causa de como ela funciona, a corrente coletor-emissor é proporcional à corrente da base.

Ambos usam tensão e corrente, mas a impedância do FET é tão alta e a corrente que eles precisam controlar é tão baixa, que você só precisa de uma tensão sobre o portão para fazer o controle. É por isso que os FETs são considerados dispositivos controlados por tensão.